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芯片材料的質量水平決定著未來現代信息科學技術水平，也是國家實力的體現。當前該領域卡脖子的問題很多，關鍵都在芯片材料的質量水平不過關，器件低效、尺寸大、成本高都是未解決或未解決好的問題。有機材料最終因質輕、價廉、柔韌和可任意裁剪性為小尺寸而成為未來有潛力的芯片材料候選物。蒽基有機半導體材料因發(fā)光和電荷傳輸都展現出優(yōu)越特性而備受關注，是當前在國內外該領域的熱點研究對象。我們團隊采用多尺度模擬手段對蒽基骨架雜原子修飾基外周修飾對材料電荷載流子遷移行為的影響進行了系統研究，指出骨架取代影響更大，外周取代基可起微調作用。O,N骨架摻雜和-CF3的協同作用可起到調控載流子傳輸從空穴到雙極性傳輸性質的轉變。進一步研究了蒽基材料外周取代基對材料的晶體堆積模式調控行為，指出2,6位芳基取代尺度增大，可增大材料載流子注入穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性及使用壽命。