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成功在石墨烯/SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并發(fā)現(xiàn)了其在長(zhǎng)波長(zhǎng)LED中的應(yīng)用潛力。研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯的插入極大地降低了GaN薄膜中的雙軸應(yīng)力，有效提高了InGaN阱層中In原子并入，使量子阱發(fā)光波長(zhǎng)顯著紅移。該成果有助于推動(dòng)高性能、長(zhǎng)波長(zhǎng)氮化物發(fā)光器件發(fā)展。相關(guān)結(jié)果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”為題發(fā)表在國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊《Light: Science & Applications》。